Научные материалы

Исследовано влияние уровня легирования эмиттеров на характеристики лазерных диодов, изготовленных на основе системы AlGaP/GaInP/GaAs и излучающих на длине волны 670-680 нм. Экспериментально показано, что при увеличении отношения уровней легирования эмиттеров P/N наблюдается увеличение плотности тока инверсии J0 и коэффициента дифференциального усиления β. Одновременно с этим монотонно увеличивается и характеристическая температура T0. Внутренний квантовый выход вынужденной рекомбинации ┦ имеет максимум при P/N=2.1. Изготовляя лазерные диоды с шириной мезаполоски 100 мкм, на которых в непрерывном режиме достигнута мощность излучения до 1000 мВт при эффективности 1.55 Вт/А.

Изготовлены и исследованы непрерывные лазерные полупроводниковые излучатели с рабочей мощностью 2.5 Вт при ширине полоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 850 нм. Лазерная гетероструктура с сильнолегированным P-эмиттером изготавливалась MOC-гидридным методом в системе AlGaAs/GaAs. При длине резонатора 800 мкм внешняя дифференциальная квантовая эффективность составила 84% (1.2 Вт/А), а характеристическая температура порогового тока была равна 230К. Прогнозируемый ресурс работы — более 5*10^3 ч.