Гетероструктуры

Сотрудники ООО «Фабрика Света» имеют более двадцати пяти летний опыт работы в области выращивания квантово-размерных лазерных эпитаксиальных структур методом МОС-гидридной эпитаксии. В настоящее время возможно выращивание и проведение по маршруту фотолитографии следующих лазерных гетероструктур: материал волновода/ материал активной области/ подложка.

Для диодных лазеров

Длина волны излучения λ, нм	Материалы эпитаксиальных слоев
640-700	AlGaInP/GaInP/GaAs
730-790	AlGaInP/GaInP/GaInAsP/GaAs
800-850	AlGaAs/GaAs; AlGaInP/GaInP/GaInAsP/GaAs
940-980	AlGaAs/GaInAs/GaAs
1060	AlGaAs/GaInAs/GaAs
1300-1550	AlGaAs/GaInAs/ InP

Для LED, индикаторные

Длина волны излучения λ, нм	Материалы эпитаксиальных слоев
610-680	AlGaInP/GaInP/AlGaAs/GaAs; GaAsP/GaAs
570	AlGaInP/GaInP/GaP; /AlGaInP/GaInP/GaAs
810-850	AlGAAs/GaAs; AlGaInP/ GaInP/ AlGaAs/ GaAs
940-980	AlGaAs/ GaInAs/ GaAs

Для LED, повышенной яркости

Длина волны излучения λ, нм	Материалы эпитаксиальных слоев
610-680	GaP/AlInP/AlGaInP/GaAs
570	GaP/AlInP/AlGaInP/GaAs

Для фотокатодов

Длина волны излучения λ, нм	Материалы эпитаксиальных слоев
500-900	AlGaAs/GaAs/AlGaAs/GaAs
800-1600	AlInAs/GaInAs/InP

Для фотоприемников

Длина волны излучения λ, нм	Материалы эпитаксиальных слоев
800-1700	AlInAs/ GaInAs/ AlInAs/InP

Для солнечных элементов

Длина волны излучения λ, нм	Материалы эпитаксиальных слоев
---	AlInP/GaInP/GaAs/InGaAs/Ge